(KME=Kompakt-Mikroelektronisches-Element, nicht zu verwechseln mit dem Kombinat Mikroelektronik).
Unter Führung der Keramischen Werke Hermsdorf wurden in den 1960er und 1970er Jahren Hybrid- und Dickschichtschaltkreise entwickelt und produziert.
Sie stellten den Übergang von der diskreten Elektronik zur Mikroelektronik in der DDR dar.
Äußerlich waren die KME-Baugruppen in Aluminiumquader eingebaut, die stehend auf der Leiterplatte verlötet wurden.
Besonders das Werk in Zella-Mehlis baute in den 1970er Jahren KME3-Baugruppen in ihre Geräte, beispielsweise
in den Lochbandleser daro1210 und den Lochbandstanzer daro1215.
Auch der Computer R21 wurde aus solchen Baugruppen aufgebaut.
Typische Platine mit KME3-Baugruppen
Sloteinheit mit KME3-Platinen
Wie in vielen anderen Fällen fanden Entwicklungen, die die DDR im Alleingang machte, international keine Anerkennung
und so führte auch die KME-Entwicklung langfristig ins Aus und ihr Einsatz nahm mit Beginn der 1980er Jahre stark ab.
Die durch KME3 gewonnen Erfahrungen bekamen immerhin später noch Bedeutung,
da es durch den Herstellungsprozess der Bedampfung unter Hochvakuum gelang, hochpräzise Widerstände oder ganze Netzwerke preiswert herzustellen,
die mit herkömmlichen Verfahren zur Herstellung von Schichtwiderständen nicht oder nur mit sehr hohem Aufwand herstellbar waren.
Insbesondere war die Genauigkeit des absoluten Widerstandswertes, aber auch dessen sehr geringe thermische Abhängigkeit für viele Bereiche der elektronischen Messtechnik sehr interessant.
Diese R-Netzwerke, ob nun als R-2-R, linearer oder logarithmischer Spannungsteiler oder gar als Block mit vielen Terminierungswiderständen,
wurden überall gern eingesetzt - wenn sie denn verfügbar waren.
Trotz der hochmodernen Bedampfungsanlagen war der Materialdurchsatz durch den zeitlichen Ablauf sehr begrenzt,
so dass nur für die allerwichtigsten Industrievorhaben entsprechend der Bilanzierungsverordnung der DDR diese Bauelemente zur Verfügung standen.
Trotzdem kam es vor, dass solche Bauelemente als "Überplanbestände" in den zahlreichen Bastlerläden landeten.
Schwieriger war es dann schon für den Elektronik-Bastler herauszubekommen, um welches Bauelement es sich in diesem Fall handelte.
Die Informationspolitik des KWH war - so wie bei den anderen VEBs auch - sehr "bescheiden".
Ein Ausweg dafür war die Fachpresse, z.B. die Zeitschriften "radio fernsehen elektronik" und "Funkamateur".
Dort wurden, wenn es irgendwie möglich war, Datenblätter und/oder Applikationsberichte zu vielen, wenn auch nicht allen,
Bauelementen veröffentlicht - eine heutzutage leider nicht mehr übliche Praxis.
KME1
(Alias KME 1, KME-1)
KME1 wurde auf keramischen Plättchen mit der Große 10x15 mm aufgebaut.
Durch Siebdruck wurden Leiterbahnen und Widerstände aufgebracht.
Flachtransistoren, Dioden (in Diffusionstechnik hergestellt) und Kondensatoren wurden aufgelötet.
Die einzelnen Plättchen wurden gestapelt und durch Steigleitungen miteinander verbunden.
KME1 wurde 1965 durch KME2 abgelöst.
KME2
(Alias KME 2, KME-2)
KME2 löste ab 1965 KME1 ab und erreichte gegenüber seinem Vorgänger eine 6-fach höhere Bauteildichte.
Die Keramik-Grundplättchen hatten die Maße 10x15 mm oder 20x30 mm.
Die Widerstände wurden bei KME2 in Dünnschichttechnik mit Hochvakuum-Bedampfungsanlagen hergestellt und anschließend per Elektronenstrahl abgeglichen.
KME2 wurde später durch KME3 abgelöst.
KME3
(Alias KME 3, KME-3)
KME3 war der Nachfolger von KME2.
Gegenüber dem Vorgänger wurden bei KME3 auch die Kondensatoren in Dünnschichttechnik erstellt.
Ein KME3-Baustein enthielt jeweils 1 logische Funktion, z.B. NOR-Gatter, Flip-Flop oder Negator.
Außerdem gab es KME3-Baugruppen, die lediglich Widerstände enthielten und benutzt wurden,
um den Pegel von Leitungsbündeln elektrisch in eine Richtung zu ziehen.
Die KME3-Schaltkreise waren in Silikongummi eingegossen. Als Substrat wurde neben Keramik auch Glas verwendet.
Die Strukturen auf dem Substrat wurden mit der Hochvakuum-Verdampfungsanlage des Dresdner Instituts "Manfred von Ardenne" aufgebracht.
Widerstände und kleinkapazitive Kondensatoren konnten direkt in die Schaltungsstruktur integriert werden.
Größere Kondensatoren und aktive Bauelemente (Dioden und Transistoren im Miniplast-Gehäuse) wurden vor dem Kunststoff-Verguss aufgelötet.
Die anfangs verwendeten Kunststoff-Gehäuse wurden später ausschließlich durch Metall-Gehäuse (Aluminium) ersetzt.
Von allen KME-Varianten erlange KME3 die größte Bedeutung. KME3 wurde später durch KME4 abgelöst.
KME4
KME4 war der Nachfolger von KME3 und sollte vor allem höhere Rechengeschwindigkeiten ermöglichen.
Die für die KME4 und KME5 vorgesehene Dünnfilmtechnologie zur Herstellung von Dioden, Transistoren oder ganzen Schaltungseinheiten
direkt auf dem Glas- oder Keramiksubstrat konnte von der "Arbeitsstelle für Molekularelektronik Dresden" (AMD) nicht mehr fertiggestellt werden,
da im Zuge der Umorientierung auf die Halbleiter-Block-Technologie die betreffenden Entwicklungsvorhaben 1971 abgebrochen wurden.
KME5
KME5 wurde Anfang der 1970er Jahre erfunden und stellt eine Ableitung aus KME3 dar.
Bei KME5 wurden ganze Festkörperschaltkreise in Dünnfilmtechnik hergestellt.
Zu einem produktiven Einsatz dieser Technologie kam es durch die mittlerweile verfügbare bessere TTL-Technik nicht mehr.
KME10
Unter dieser Bezeichnung wurden zeitweise die Integrierten Schaltkreisserien D1xx, D2xx und E1xx geführt.
KME20
Unter dieser Bezeichnung wurden zeitweise die Integrierte Schaltkreisserie U1xx geführt.
