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Autor Thread - Seiten: -1-
000
14.05.2021, 15:00 Uhr
PIC18F2550

Avatar von PIC18F2550

Hallo,
in vielen Zeichnungen im Netz ist zwischen dem Gate-Treiber und dem FET-Gate ein wiederstand von 10..1K eingezeichnet.
In der Doku wird keiner angegeben.
Hier wird nur was von Ausgangsstrom geschrieben.
Weis jemand was hier richtig ist? ich habe nicht vor alles zu grillen.

Danke.
--
42 ist die Antwort auf die "Frage nach dem Leben, dem Universum und dem ganzen Rest"
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Dieser Beitrag wurde am 14.05.2021 um 15:54 Uhr von PIC18F2550 editiert.
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001
14.05.2021, 19:31 Uhr
Bert



Wenn ich das richtig verstehe, reduziert der Widerstand die Schaltgeschwindigkeit des FETs.
Je schneller Du schaltest, desto geringer sind die Verluste im FET, aber desto größer sind ggf. die Störungen auf der Leitung.
Wie lang sind bei Dir die Leitungen zwischen H-Brücke und Last?
Sind die ggf. geschirmt?
Was hängt da dran? Ein Motor?

Grüße,
Bert
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002
14.05.2021, 20:15 Uhr
andy62



Die Widerstände sollen den Einschaltstrom, bei höheren Gatekapazitäten begrenzen.
Grüße Andy
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003
14.05.2021, 22:49 Uhr
PIC18F2550

Avatar von PIC18F2550

Das ist nur eine Treiberstufe von 6.
Von den 3 Motorwicklungen sind beide Anschlüsse herraus geführt.
Die Steuerung ist direkt am Motor ca. 10cm

Um den einfluss der Gate Kapazität zu minimieren würde ich lieber zwei Baugruppen parallel schalten.

Da in der Dokumentation kein Widerstand angegeben ist gehe ich davon auß das bis zu einer bestimmten Kapazität keiner gebraucht wird. Die Frage ist wo ist die Grenze?
--
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004
15.05.2021, 09:34 Uhr
Bert




Zitat:
PIC18F2550 schrieb
Da in der Dokumentation kein Widerstand angegeben ist gehe ich davon auß das bis zu einer bestimmten Kapazität keiner gebraucht wird. Die Frage ist wo ist die Grenze?


Naja, im Datenblatt ist gleich auf der ersten Seite eine Anwendungsschaltung mit Gate-Widerständen (ohne konkrete Werte) angegeben:
https://www.infineon.com/dgdl/ir2104.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7c1c31671

Das Stromlimit ist vom Gate-Treiber und vom MOSFET (bzw. der Gate-Kapazität) abhängig.
https://www.elektroniknet.de/halbleiter/leistungshalbleiter/die-auswahl-eines-gate-treiber-ics-fuer-mosfets.1536.html

Wenn ich das Datenblatt vom MOSFET richtig interpretiere, muss man mit 1,5 nF Gate-Kapazität rechnen:
https://www.infineon.com/dgdl/ir2104.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7c1c31671

Da die FETs im Schaltbetrieb (und nicht im Linearbetrieb) verwendet werden, braucht man theoretisch keine Gate-Widerstände.
Um mögliche Abstrahlungen zu erfassen, kannst Du ja ein MW-Radio oder Dein Funkgerät daneben auf Empfang schalten. Die eigentliche Schaltfrequenz würde ich mit einem Oszilloskop direkt am Gate erfassen.

Grüße,
Bert
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005
16.05.2021, 16:21 Uhr
d.elm

Avatar von d.elm

Ich habe in meiner Arbeitszeit Widerstände um 10R eingebaut.
Diese erhöhen zwar die Verlustleistung im FET aber das EMV Verhalten bezüglich Abstrahlung verbessert sich. Ich musste immer einen Kompromiss finden um nicht bei der EMV Zertifizierung durchzufallen und vom Wirkungsgrad noch akzeptabel zu sein.
Grüße Detlef
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006
16.05.2021, 20:16 Uhr
PIC18F2550

Avatar von PIC18F2550

Um abstrahlung über die Wicklung muss ich mir keine großen gedanken machen, ist alles gekapselt.
Beim Schaltplan hatte ich wohl einen anderen im Kopf.
--
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