006
11.02.2021, 10:41 Uhr
Buebchen
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@Mario Blunk
Hallo Mario,
Zu 005, Da schreibst du" Im Wesentlichen ist es U_be, die hier eine Rolle spielt. Wenn die Abhängigkeit der Basis-Emitter-Spannung von Si und Ge gleich ist, kompensieren sich die Flußspannung der Diode und die zwischen Basis und Emitter des Transistors."
Das kann nicht funktionieren. Die B-E Flußspannung ist bei Germanium rund 0,1V und bei Silizium rund 0,7V.
Die Flußspannungen von Dioden sind neben der Abhängigkeit von der Temperatur auch stark vom Strom abhängig.
Besonders auffällig ist das bei Z-Dioden mit dem Wert 5,6V bei denen sich der Lawinen Effekt und der Zener Effeckt bei einem bestimmten Strom kompensieren und damit die Temperaturabhängigkeit zu 0 (Null) wird.
Hatte ich mal 1977 zu Beginn meiner Tätigkeit am ZIE herausgefunden.
Wolfgang
Dieser Beitrag wurde am 11.02.2021 um 10:42 Uhr von Buebchen editiert. |
