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Thread - Seiten: -1-

000
24.10.2016, 14:53 Uhr
hjs

Hallo Leute,

die Seite 54 der Broschüre "Sowjetische Transistoren" kenne ich.
Im Unterschied dazu habe ich hier ein Exemplar, bei dem B und C
miteinander vertauscht sind. Die Basis ist mit dem Gehäuse verbunden.
Kommt das vielleicht jemanden bekannt vor?

MfG
hjs

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001
24.10.2016, 21:58 Uhr
holm

Avatar von holm

Ich habe nur MP20A bei denen die Basis am Gehäuse ist...

Gruß,

Holm
--
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002
25.10.2016, 08:36 Uhr
hjs

Da gibt's jetzt zwei Möglichkeiten.
Entweder sind bei Dir die Restbestände vom VEB Fahrzeugelektrik gelandet, oder das Datenblatt ist falsch. Eigentlich ist Basis am Gehäuse irgendwie Unsinn.

MfG
hjs

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003
25.10.2016, 09:55 Uhr
holm

Avatar von holm

MP41 und MP21G sind nicht anders. Da wird das DB wohl Käse sein.
Ein paar meiner russischen Transistoren kommen aus den Altbeständen von Reinhöfer Electronic,
also noch aus DDR Beständen des HFWM und die haben ja dort mal irgendwelche Radios gebaut..
Der Rest der Germaniumkiste ist "Sammelsurium", teilweise irgendwo ausgelötet.

Google doch mal kyrillisch nach МП20А:

http://elektrikaetoprosto.ru/mp20.html

(translit.ru ist hilfreich)

BTW: Warum ist die Basis am Gehäuse Unsinn? Es gibt andere Betriebsarten als die Emitterschaltung..

Gruß,

Holm
--
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Dieser Beitrag wurde am 25.10.2016 um 09:58 Uhr von holm editiert.

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004
25.10.2016, 09:56 Uhr
Andreas

Also ich habe hier etwa 50 neuwertige MP20 und alle die ich getestet habe (6 Stück) haben die Basis am Gehäuse.So sagt es zumindest mein chinesischer Prüfautomat.Die Herkunft ist wahrscheinlich über NVA gelaufen.

Andreas
--
Viele Grüße
Andreas

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005
25.10.2016, 10:54 Uhr
hjs

Zitat:

holm schrieb
MP41 und MP21G sind nicht anders. Da wird das DB wohl Käse sein.

BTW: Warum ist die Basis am Gehäuse Unsinn? Es gibt andere Betriebsarten als die Emitterschaltung..

Ja, offensichtlich ist demzufolge die Zeichnung falsch.

Ich habe kein Exemplar hier, was ich mal aufmachen könnte. Deshalb weiß ich nicht, wie der geschnitzt wurde. Aber normalerweise ist am Kollektor die Wärmeübertragung besser.

MfG
hjs

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006
25.10.2016, 12:21 Uhr
robbi
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Habe die Anfrage zum Anlaß genommen, diesen Transistortyp zu scannen:
http://www.sax.de/~zander/zubehoer/russ.html
--
Schreib wie du quatschst, dann schreibst du schlecht.

Dieser Beitrag wurde am 25.10.2016 um 12:22 Uhr von robbi editiert.

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007
25.10.2016, 14:02 Uhr
Buebchen

Hallo!
Der MP20/MP21 ist ein Germanium Legierungstransistor. Die Basis ist das Einkristall aus Germanium in das zwei Indiumpillen einlegiert wurden. Damit ist es für den Herstellungsprozessa am einfachsten und billigsten, die Basis aufs Gehäuse zu legen.
Einfach aus mechanischen Gründen der Befestigung. Besonders gute Eigenschaften kann man durch die große Basiskapazität zum Kollektor und Emitter natürlich damit nicht erwarten. Bei den DDR GC Germanium Transistoren war am Basisanschluß im Gehäusesockel an der Glasdurchführung eine Halterung für das Kristall befestigt wenn ich mich recht entsinne. Ähnlich wie im OC811 usw. Nur die Lage des Kristalls war anders ausgerichtet um in den neueren Typen Platz zu sparen und das Runde Gehäuse verwenden zu können.
Wolfgang

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008
26.10.2016, 09:26 Uhr
P.S.

Nun ist mir Buebchen doch zuvorgekommen ...
Er hat im Wesentlichen alles das erläutert, was ich auch geschrieben hätte.
Der interne Aufbau unsere Transistoren aus dem HFO, d.h. nicht die ersten im Flachgehäuse, sondern die im kleinen Rundgehäuse sind in ihrem Aufbau auf Seite 10 meines Buches "Die Geschichte der Mikroelektronik-Halbleiterindustrie der DDR" dargestellt.
Die interne Konstruktion der Vorläufertypen im großen Rundgehäuse (OC824 - 826, bzw. OC881 - 884) - noch nicht TO18, sondern das mit der umlaufenden Schweißnaht, ist mir leider nicht bekannt. Dazu müsste man einen aufschneiden ...
Die HF-Typen OC881 - 884 wurden jedoch schon in Mesa-Technologie hergestellt (siehe Seite 26 im PS-Buch), so dass der prinzipielle Aufbau dem der modernen Planar-Technologie ähnelt, mit der auch heute noch (Si-)Transistoren hergestellt werden.

Übrigens - falls noch Bedarf besteht - Einiges an MP20/21/40/41 und noch andere Russen-Transistoren habe ich noch im Bestand ...

Das Wissen der Menschheit gehört allen Menschen! -
Wissen ist Macht - wer nur glaubt, der weis nichts! -
Aber - Unwissenheit schützt vor Strafe nicht! -
Gegen die Ausgrenzung von Unwissenden und für ein liberalisiertes Urheberrecht!
PS

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009
26.10.2016, 21:49 Uhr
AE
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Einen aufgeschnittenen MP20 habe ich leider nicht. Doch für Interessierte hier die Innereien eines OC 881: wahrscheinlich OC 82x

Dieser Beitrag wurde am 16.11.2016 um 12:16 Uhr von AE editiert.

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010
28.10.2016, 09:55 Uhr
P.S.

@AE <009>
Schönes Bild vom Innenleben eines HFO-Transistors!
Aber bist Du Dir da wirklich sicher, dass dieses von einem OC881 ist? - Dieser müsste eigentlich eine Mesa-Konstruktion haben, d.h. die Basis- und Emitteranschlüsse von einer Seite des Chips und Kollektor von der anderen Seite - siehe <008>.
Dieses Bild sieht eher nach einem OC824 ... 826 aus, d.h. wie deutlich zu erkennen ist ein Legierungstransistor mit Anschlüssen an den beidseitigen Indiumperlen.
Auch erkennbar ist, dass der Basisanschluss am Gehäuse liegt, eine HF-technisch sehr ungünstige Konstruktion.

Wenn es interessiert, kann ich ja mal einen MP20 o.ä. aufschneiden. Ein Exemplar aus der OC88x-Reihe habe ich leider nicht ...

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011
28.10.2016, 10:08 Uhr
Buebchen

Hallo!
Wie Peter schon geschrieben hat, ist der OC881 ein HF-Transistor in MESA-Ausführung (MESA Spanisch für Tisch). Wie auch später zum Beispiel der GF131. Der gezeigte sieht aber wie ein Legierungstransistor aus wie ich in vorher für den MP21 beschrieben habe.
Wolfgang

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012
28.10.2016, 13:39 Uhr
CarstenSc

Das dürfte nicht ganz stimmen. Die erste MESA-Transistoren waren die Typen GF140 bis GF146.
Die OC881-84 waren sogen. Drifttransistoren.
So habe ich das jedenfalls in Erinnerung.

Carsten

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013
28.10.2016, 15:12 Uhr
Buebchen

@CarstenSc
Hallo Carsten!
Beim OC881 bin ich mit Mesa Transistor nicht sicher, das ist einfach zulange her. Den hatte ich schon mitte der sechziger Jahre verbaut. Ab GF120 waren es aber MESA Transistoren, die GF145- GF147 allerdings auch. Nur die Bezeichnung MESA-Transistor war damals noch nicht allgemein gebräuchlich. Die Mesa-Technologie hatte sich allerdings durch die Möglichkeit der (Planar) Epitaxie weiter entwickelt, zu höheren Frequenzen und Rauscharmut.
Ab dem GF120 waren die DDR Transistoren den Westlichen Transistoren ab AF116 in den Daten sehr ähnlich und auch in der selben Technologie gefertigt. Die wurde dafür im Westen ab Mitte der fünfziger Jahre eingesetzt. Sonst wären diese Daten bei Siemens, Telefunken und Valvo nicht erreichbar gewesen. Bei den AF-Typen steht aber fest das es MESA-Typen sind, darüber existieren noch bessere Unterlagen. Zum Beispiel in Radiomuseum.org wo der AF116 als Mesatransistor abgebildet ist.
Ich habe gerade vor kurzem Gehört, das die Letzten GF145-GF147 in AF139-AF239 umgelabelt wurden und nach 1989 in großen Stückzahlen an die Telekom verkauft wurden.
die Originalen AF Typen waren nicht mehr aufzutreiben da die Produktion schon zu lange eingestellt war.
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 28.10.2016 um 15:17 Uhr von Buebchen editiert.

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014
28.10.2016, 15:22 Uhr
hjs

Hier ist mal das, was ich erwartet hätte.
Ein kleines Stück Si passend zum Gehäuse:

Wie ein MP20 aussieht, würde mich tatsächlich mal interessieren.
Und wenn ich am WE noch etwas Zeit habe, mache ich einen OC810 auf.

MfG
hjs

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015
28.10.2016, 16:00 Uhr
Buebchen

@hjs
Hallo!
Der OC810 sieht innen wie der angebliche OC881 um das Kristall mit den beiden Indiumperlen rechts und links vom Kristall aus. Lass das rare Stück besser ganz.
Mein Bruder hat Ende der fünfziger Jahre oder Anfang 1960 einen OC821 von dem Glasboden abgelötet und zur besseren Kühlung auf das Messinggehäuse eines Kondensatormikrofons von Neumann gelötet.
Damit hat er die Anodenspannung des Mikrofonverstärkers gesiebt. Das Mikrofon hatte er ungefähr 25 Jahre, als Messmikrofon mit dem offenen Transistor, in Betrieb.
Wolfgang

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016
28.10.2016, 17:06 Uhr
Buebchen

Hallo!
Ich habe einem MP20A das obere Gehäuseteil abgedreht und einige Fotos gemacht.
Es ist zu sehen, das die Basis auf einem gelochten Winkel aufgelötet ist, der mit dem Gehäuseboden Punktverschweißt ist. Der Emitteranschluß wird durch das Loch im Winkel mit dem Kontakt in der Glasdurchführung verbunden. Ebenso der Kollektoranschluß auf der anderen Seite des Winkels.
http://buebchen.jimdo.com/diverse-bilder/
Wolfgang

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017
28.10.2016, 22:21 Uhr
Buebchen

Hallo!
Ich habe versucht mich zu informieren und bin inzwischen der Meinung, das der ab dem OC880 verwendete Planar-Prozess bei der Herstellung ungefähr dem Prozess entspricht, der im Westen als MESA-Prozes bezeichnet wurde.Dabei ist der Planar-Prozess fortschrittlicher als der MESA-Prozess weil einige Prozeßschritte anders verlaufen und die Stabilität der erzeugten Bauelemente besser sein kann.
Der MESA-Prozess ist 1955 erstmals verwendet worden.
Der OC880 und folgende wurden als das Systhem 1965 in das Zylindrische Gehäuse eingebaut wurde in GF120 und folgende umbenannt.
Ab dem GF140 wurde der Planarprozess auch in der DDR allgemein als MESA-Prozess bezeichnet um Sprachverwirrungen zu vermeiden und bessere Absatzchancen zu haben. Die Germaniumtransistorherstellung wurde im Westen zugunsten der Siliziumtransistorherstellung eingestellt. Damit waren die DDR Germaniumtransistoren auch im Westen absetzbar.
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 28.10.2016 um 22:35 Uhr von Buebchen editiert.

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018
29.10.2016, 10:46 Uhr
P.S.

@CarstenSc <012>
Drifttransistoren waren eine direkte Weiterentwicklung der normalen Legierungstransistoren, wobei hier ein Halbleiterplättchen mit inhomogener Dotierung verwendet wurde. Damit waren dann Grenzfrequenzen bis zu etwa 10MHz erreichbar (OC870 ... 872) - siehe Bild "Ge-Transistoren aus der Anfangszeit der HL-Industrie der DDR" auf http://www.ps-blnkd.de/BE-Ergaenzungen.htm (ziemlich weit unten). Das aus Drehteilen bestehende Gehäuse war sehr unwirtschaftlich, weswegen dann später Gehäuse aus tiefgezogenen, wesentlich billigeren Blechteilen eingesetzt wurden.
Mit einem OC870 habe ich Anfangs der 1960er Jahre versucht bis in das 49m-Band vorzudringen, um mit einer selbstgebauten "Kofferheule" Radio Luxemburg empfangen zu können. Das gelang aber erst mit einem West(Verwandten-)Import OC410 von Intermetall. Damit konnte dann sogar im August 1961 an der Ostsee der RIAS empfangen werden, als die DDR die Grenze zu Westberlin "gesichert" hatte.
Mit den Mesa-Transistoren OC880 ... 884 (später GF120 ... 123) war dann der Frequenzbereich bis etwa 50MHz erschließbar. Bis 100 MHz (UKW-Bereich) war das dann später erst mit GF130 ... 132, bzw. GF140 ... 143 (300MHz) möglich.

@buebchen <015>
"Der OC810 sieht innen wie der angebliche OC881 ..." - muss sicherlich "OC825" heißen.

@buebchen <017>
Den Planarprozess (siehe S28 im PS-Buch) gab es erst bei den späteren Si-Transistoren, während die ersten ebenfalls noch mit der für Si nicht beherrschbaren Legierungstechnologie versucht wurden (OC910 ... 913). Der Planarprozess kann zwar als Weiterentwicklung der Mesatechnologie angesehen werden, hat aber direkt damit nichts zu tun. Mesatransistoren waren genauso anfällig wie Legierungstransistoren bzgl. Umwelteinfüssen auf den Chip. Erst mit der beim Planarprozess einhergehenden Passivierung der Oberfläche war dieses Problem beherrschbar.
Auch in der DDR wurde mit der Einführung der Si-Transistoren (Miniplast und Metallgehäuse) die Produktion von Ge-Transistoren schrittweise zurückgefahren. Das hing aber weniger mit den Absatzchancen zusammen, sondern mit der manuell aufwendigen Fertigungstechnologie bei Ge-Transistoren, die im Wesentlichen von polnischen Frauen durchgeführt wurde. Insbesondere beim Miniplasttransistor konnte dann jedoch ausgehend vom Scheibenprozess (Zyklus I) bis zur Verkappung (Zyklus II) durch eine weitgehende Automatisierung des technologischen Ablaufes ein regelrechter Sprung in der Fertigungseffektivität erreicht werden.
Die Absetzbarkeit von Ge-Transistoren im Westen galt allenfalls für den GF145/147 (ebenfalls Mesa-Typen), die dann - weil typkompatibel - als AF139/239 verkauft werden konnten.

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PS

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019
29.10.2016, 17:49 Uhr
CarstenSc

@PS + Bübchen
Auszug aus HFO-Halbleiterkatalog von 1965:

Carsten

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020
30.10.2016, 18:23 Uhr
Buebchen

@CarstenSc
Hallo Carsten!
Wenn Du Dir Heute mit Google ansiehst was unter einem Drift Transistor zu verstehen ist würde ich mit der interpretation Deiner Unterlagen vorsichtig sein. Sie sind meiner Meinung nach falsch. Eimal falsch eingeführte Bezeichnungen blieben in den Katalogen und erst bei neuen Bauelementen setzte sich die korrekte Bezeichnung durch. Mir sind in den Katalogen und Datenblättern schon öfter Fehler aufgefallen. Ein Kollege von mir hatte das Hobby, auf Kolloquien berichtete Fehler in den Katalogen handschriftlich zu ändern. Die Kathaloge sind Produkte der DEWAG Werbung gewesen, die nicht unbedingt Halbleiter Fachleute mit der Katalogherstellung beschäftigt hatten. Solche Fehler in der Bezeichnung kamen einfach vor. Es kann auch sein das sich im Laufe der Zeit der Schwerpunkt der Betrachtung geändert hat. Ein Drifttransistor einen Mesa Aufbau hat. Der Drifteffekt hauptsächlich in Feldeffekt Transistoren beschrieben wird die die GF120 sicher nicht sind. Auch keine Legierungstransistoren.
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 30.10.2016 um 18:27 Uhr von Buebchen editiert.

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021
30.10.2016, 18:39 Uhr
Andreas

Hallo
Vielleicht hat noch jemand in seinem Regal einen originalen Katalog.Ich weiß nicht mehr genau welches Jahr, aber es müßte so 1965 bis 1969 sein ,da sind von sehr vielen Transistoren farbige Transistorfotoschnitte abgebildet.Es war auf alle Fälle ein Katalog wo die GF140 bis GF143 dabei waren.

Andreas
--
Viele Grüße
Andreas

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022
30.10.2016, 19:15 Uhr
Buebchen

Hallo!
In einem Halbleiterbuch der DDR habe ich die Bezeichnung Legierungs Diffusionstransistor gefunden, die vor dem GF140 der Bauform die im Westen mit Pillen Mesatransistor bezeichnet wurde, entsprach. Soweit erinnere ich mich an den Aufbau noch. Ich habe nur noch einen GF132 den ich nicht unbedingt dafür öffnen möchte. Ich habe aber als Schüler hunderte Transistoren für meinen Physiklehrer ausgemessen und die defekten geöffnet. Daher habe ich den Aufbau vage in Erinnerung. Die GF132 gab es ja in der hohen und in der kleinen Ausführung wie den GF105 aber mit 4 Beinchen. Der OC882 wurde nach meiner Erinnerung der GF122. Allerdings verkleinerte sich das System im Laufe der Zeit mit der Veränderung des Namens und der verkleinerung des Gehäuses. In westlichen Kathalogen werden ein und dieselben Transistoren einmal als Germanium Diffusions Transistor und einmal als MESA Transistor bezeichnet. Da konnte es bei den Bezeichnungen in den Kathalogen nur genauso bunt zugehen. Unterlagen konnte ich entnehmen, das zu den Diffusionstransistoren die MESA und die PLANAR Transistoren gehören.
Damit ist die Angelegenheit für mich geklärt.
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 30.10.2016 um 19:32 Uhr von Buebchen editiert.

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023
30.10.2016, 20:11 Uhr
CarstenSc

@Bübchen

Tut mir leid Wolfgang. Du verbreitest hier absoluten Unfug.
Erst zweifelst du an der Echtheit des von AE aufgesägten OC881. Jeder Dumme
kann am Aufbau einen Legierungstransistor und keinen MESA-Typen erkennen.
Jetzt ist Google und eine ehemalige Mitarbeiterin der DEWAG schuld, daß der
der Halbleiterkatalog vom HFO falsch ist.

Hier eine Kopie aus der RFE 10/1967 mit den Kenndaten des von dir als MESA-Transistor bezeichneten GF126.
Vermutlich handelt es bei dieser Mitteilung aus dem Halbleiterwerk F/O
um eine Fälschung. Oder der Autor des Artikels, Dipl.-Ing. G. Schwötzer, war kein Fachmann, sondern vielleicht nur ein Pförtner des HFO ?
Dieser konnte natürlich den Unterschied zwischen Legierungs-Diffusionstransistor,
Drifttransistor und MESA-Transistor nicht so genau kennen.

Gruß Carsten

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024
30.10.2016, 21:00 Uhr
Buebchen

@CarstenSc
Hallo!
Finde ich ja komisch! Eine Stunde vor Dir schreibe ich im Prinzip das gleiche wie Du aber was ich schreibe ist alles falsch.
Ausserdem habe ich nicht an der Echtheit des aufgesägten Transistors gezweifelt, den ich als Legierungstransistor bezeichnet habe, der er offensichtlich ist. Aber die Bezeichnung mit OC881 bezweifle ich. Der ist mit Sicherheit kein Legierungstransistor sondern ebenfalls wie der GF126 ein, auch Legierungs Diffusionstransistor der aber ebenfalls ein MESA Transistor ist. Das eine bezeichnet den Aufbau des Transistors, als MESA wie ein umgekehrter Tisch oder Tafelberg für MESA TAFEL oder TISCH. Einmal die Herstellungstechnologie mit Legierungs Diffusionstransistor. Die wurden im Westen auch als Pillen Mesa bezeichnet.
Ich vermute bei dem aufgesägten Transistor war die Bezeichnung nicht mehr gut zu lesen, deshalb der Irrtum. Ich vermute das es ein OC821 bis OC824 war wenn es so etwas gab. Ich habe allerdings Abbildungen gefunden, die den OC881 darstellen sollen, aber eine falsche Anschlußfolge haben. Der im Bild oben zu sehende Transistor hat eindeutig die Basis am Gehäuse, was dem OC821 bis OC824 entspricht. Die Falsche Pinanordnung ist auf einer anderen Abbildung eindeutig als vertauscht gekennzeichnet.
Daher meine Sicherheit, das es kein OC881 sein kann. Ich habe in den 60iger Jahren einiges damit gebaut. Der Kollektor war eindeutig in der Mitte.
Auf Wunsch kann ich die Unterlagen zuschicken.
Ich denke Du theoretisierst, ich habe praktiziert!
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 30.10.2016 um 21:25 Uhr von Buebchen editiert.

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025
30.10.2016, 23:19 Uhr
Wusel_1

Zitat:

Buebchen schrieb
Aber die Bezeichnung mit OC881 bezweifle ich. Der ist mit Sicherheit kein Legierungstransistor sondern ebenfalls wie der GF126 ein, auch Legierungs Diffusionstransistor der aber ebenfalls ein MESA Transistor ist.

Falsch - der OC881 ist ein Drift - Transistor!

Quelle: 1. Halbleiter-Bauelemete Ausgabe 1963;Halbleiterindustrie d. DDR
2. Transistordaten (Streng) 2.Auflage 1977
--
Beste Grüße Andreas
______________________________________
DL9UNF ex Y22MF es Y35ZF
JO42VP - DOK: Y43 - LDK: CE

*** wer glaubt, hört auf zu denken ***

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026
31.10.2016, 07:10 Uhr
Buebchen

@Wusel_1
Hallo Andreas!
Nicht falsch!
Denn ein Drift Transistor kann in Ringform wie der OC870, OC871 aufgebaut sein oder in MESA Form wie der OC880- OC883. Die Letzteren sind dann 1964 in GF120 bis GF123 umbenannt worden. Davon habe ich früher welche geöffnet und keine Ring sondern Mesa-Form gefunden. In Ringform sind die HF Eigenschaften sehr mäßig. In Mesa Form sind durch die Kleineren Strukturen und damit Kapazitäten sehr hohe Frequenzen erreichbar. Die OC883 wurden schon in UKW Tuner eingebaut. Bei denen war aber der Kollektoranschluß in der Mitte angeordnet, nicht wie bei dem aufgeschnittenen Transistor der Basisanschluß im Thread 009. Das ist mir schon 1965 aufgefallen, als ich noch davon ausging, das der Basisanschluß in der Mitte liegt wie es falsch in den Unterlagen zu dem Transistor stand. Ein Aufbau eines Oszillators für 100MHz für einen UKW Tuner funktionierte nicht. Erst nachdem ich die Vertauschung bemerkte und abänderte funktionierte der Oszillator.
Hier ein Link zur Herstellung entsprechender Transistoren:
http://images.google.de/imgres?imgurl=http%3A%2F%2Fwww.elektronik-labor.de%2FNotizen%2F0212Ge2.jpg&imgrefurl=http%3A%2F%2Fwww.elektronik-labor.de%2FNotizen%2FGE-Transistor.html&h=244&w=581&tbnid=EwFDrcThLe24oM%3A&docid=HoeDtPoEF2BxVM&ei=atcWWMfKCeTQgAaEvZKQCw&tbm=isch&client=firefox-b&iact=rc&uact=3&dur=4454&page=2&start=48&ndsp=26&ved=0ahUKEwjHp97DqITQAhVkKMAKHYSeBLIQMwh-KEYwRg&bih=903&biw=1218
Ihr vergleicht immer Eier mit Birnen, das kann nur in die Hose gehen.
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 31.10.2016 um 07:11 Uhr von Buebchen editiert.

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027
31.10.2016, 09:21 Uhr
CarstenSc

Drifttransistor, Diffusionslegierungstransistor und MESA-Transistor sind
unterschiedliche Entwicklungen bzw. Herstellungstechnologien. Daraus
resultieren unterschiedliche physikalische Eigenschaften, die sich hauptsächlich
in der Transitfrequenz ausdrücken.
Beim Legierungstyp war bei ca. 100 MHz Schluß. Ge-MESA-Transistoren erreichten bis 2500 MHz.

MESA-Transistoren und Diffusionsleg. Transistoren haben einen ähnlichen
Schichtaufbau, richtig. Das ist die einzige Gemeinsamkeit. Das der MESA_Transistor eine Weiterentwicklung war, steht außer Zweifel. Der Schichtaufbau wurde aber beim Mesa u.a. durch Ätzen und Aufdampfen erreicht.
Diff.-Legierte und MESAs in einen Topf zu werfen ist einfach Schwachsinn und zeugt von Unwissen.

Hersteller im Westen (Intermetall, Valvo, Siemens) und Osten (HFO) unterscheiden dabei klar in der Bezeichnung der Herstellungstechnologie.

GF120-GF181 wurden nie und nirgends als MESA-Typen bezeichnet, wohl
aber GF140-GF46, als Clones vom AFY12 bis AF139/239.

Für mich hier Ende der Diskussion.

Einen angenehmen Feiertag.

Gruß Carsten

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028
31.10.2016, 09:31 Uhr
P.S.

@Buebchen <026>
Wie ich bereits in <018> schrieb, ist ein Diffusions-("Drift-")Transistor in seinem Aufbau dem eines normalen Legierungstransistors identisch. Nur dass hier kein Ge-Plättchen mit homogener Dotierung verwendet wurde, sondern mit in die Tiefe gehende Inhomogenität. Damit wird eine größere Ladungsträgerbeweglichkeit erreicht, was wiederum höhere Grenzfrequenzen zur Folge hatte.
Ein Diffusionstransistor ist nach wie vor ein Legierungstransistor un deshalb in seinem Aufbau nicht mit einem Mesa-Transistor vergleichbar. Beim Mesa-Transistor sind die Basis- und Emitteranschlüsse auf einer Seite des Ge-Plättchens und der Kollektor auf der anderen. Die Emitterzone wird so zusagen in die Basiszone hineinlegiert (beim Planarprozess diffundiert!). Damit erreicht man Basisbreiten von bis zu 1µm und somit sehr geringe Ladungsträger-Laufzeiten -> hohe Grenzfrequenz. Zur weiteren Verminderung parasitärer Kapazitäten werden die Randzonen bis zum Kollektorgebiet abgeätzt, deshalb "Mesa" (Tafelberg).

Es gibt 2 schlaue DDR-Bücher, wo man das nachlesen kann, bzw. wo entprechende Abbildungen enthalten sind: Möschwitzer - Halbleiterelektronik; Rumpf - Bauelemente der Elektronik.

Mit welchen Technologien welche Transistoren im HFO gefertigt worden, ist heute nur noch schwer zu ermitteln, da sich dazu teilweise auch die Katalogangaben widersprechen. Es ist durchaus möglich, dass der gleiche Typ auch in unterschiedlichen Technologien - entsprechend dem technologischen Fortschritt gefertigt wurde. So gibt es z.B. zum GF147 einmal eine Angabe als Mesa-Typ und später dann sogar als Planartyp - wobei ich bei letzterem bezweifle, ob sich bei Ge zur damaligen Zeit überhaupt schon der Planarprozess - welcher dann bei Si Standard war - anwenden ließ.

Das Wissen der Menschheit gehört allen Menschen! -
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Gegen die Ausgrenzung von Unwissenden und für ein liberalisiertes Urheberrecht!
PS

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029
01.11.2016, 10:21 Uhr
P.S.

Nachtrag zu <028>
Bin gerade dabei die Unterlagen des 5.Halbleitersymposiums 1973 zu scannen.
Da ist ein Beitrag von RWN dabei, wo neue Technologien vorgestellt wurden, u.a. auch zur Planartechnik für den GF145/147. Das sieht zwar noch nicht danach aus, als ob das zu diesem Zeitpunkt schon produktionswirksam war, aber offensichtlich hatte man bereits intensiv daran gearbeitet.
Somit ist dann auch die unterschiedliche Bezeichnung in den Datenbüchern erklärbar.
Möglicherweise aufbauend darauf wurde dann Ende der 1980er Jahre im Institut für Halbleiterphysik (IHP) in Frankfurt/O. die GeSi-Mischtechnologie entwickelt, welche Basistechnologie des neuen HL-Werkes "Communicant" in Frankfurt/O. sein sollte. Wie bekannt ist das Vorhaben an Diletantismus und Korruption führender Brandenburger Politiker gescheitert. Nutznießer des Ganzen war jedoch dann INTEL, die mit wenigen Prozent am Werk beteiligt gewesen waren und denen somit eine der damals modernsten HL-Technologien - mit deutschen Steuergeldern finanziert - so zusagen "in den Schoß fielen" ...

Falls noch jemand Unterlagen von anderen HL-Symposien hat - auch leihweise - würde ich gern ebenfalls elektronisch sichern, außer 1981 - 1989.

Das Wissen der Menschheit gehört allen Menschen! -
Wissen ist Macht - wer nur glaubt, der weis nichts! -
Aber - Unwissenheit schützt vor Strafe nicht! -
Gegen die Ausgrenzung von Unwissenden und für ein liberalisiertes Urheberrecht!
PS

Dieser Beitrag wurde am 02.11.2016 um 08:11 Uhr von P.S. editiert.

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030
02.11.2016, 09:26 Uhr
hjs

Ich wollte doch den OC810 obduzieren...
Die Anschlussfolge ist EBC. Der Kollektorbereich war total mit Cenupaste vollgestopft, die ich da erstmal rauspopeln musste.

MfG
hjs

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031
11.11.2016, 15:16 Uhr
Radioreinhard

Zitat:

hjs schrieb

Zitat:

holm schrieb
MP41 und MP21G sind nicht anders. Da wird das DB wohl Käse sein.

BTW: Warum ist die Basis am Gehäuse Unsinn? Es gibt andere Betriebsarten als die Emitterschaltung..

Bei den Russen-Transistoren ist das doch klar: aus dem Vollen gefeilt!
--
... und schalten Sie uns bitte wieder ein. Gleiche Stelle, gleiche Welle !!!!!

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032
12.11.2016, 20:44 Uhr
Mario Blunk

Avatar von Mario Blunk

Nun auch mein Senf zu der Sache:

--
Mein Chef ist ein jüdischer Zimmermann.

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033
12.11.2016, 23:19 Uhr
edbru

Ihr könnt es nicht lassen. Diese grundgütigen Grundlagen.
Danke für diese Bilder.

Wird sowas noch gelehrt?

Gruß
Eddi
--
ich brauch es nicht, so sprach der Rabe.
Es ist nur schön wenn ich es habe.

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034
13.11.2016, 18:11 Uhr
Mario Blunk

Avatar von Mario Blunk

Zitat:

edbru schrieb
Ihr könnt es nicht lassen. Diese grundgütigen Grundlagen.
Danke für diese Bilder.

Gerne ! Etwas verrückt muß man schon sein, um sowas zu machen. E-Technik betrachte ich als den genialsten Baukasten, den mir Gott geschenkt hat (kann jeder anders sehen). Wenn ich versuche die Maxwellschen Gleichungen zu verstehen, kann ich über den Geist dahinter nur staunen...

Zitat:

Wird sowas noch gelehrt?

Im stillen Kämmerlein, wo einem auch mal was um die Ohren fliegt. Solche Erfahrungen stehen in keinem Lehrbuch...
--
Mein Chef ist ein jüdischer Zimmermann.

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035
13.11.2016, 20:52 Uhr
Rainer

die armen Transistoren! da blutet mein Herz...

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036
14.11.2016, 10:11 Uhr
Guido
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Zitat:

Rainer schrieb
die armen Transistoren! da blutet mein Herz...

Warum? Sie erfüllen doch einen guten Zweck.
Ich habe meinen ersten Taschenrechner mit Transistoren (Beine abgeschnippelt) als Taster gebaut. Perfekt!

Guido
--
Der Mensch hat drei Wege, klug zu handeln.
Erstens durch Nachdenken: Das ist der edelste.
Zweitens durch Nachahmen: Das ist der leichteste.
Drittens durch Erfahrung: Das ist der bitterste.
Konfuzius

Wer immun gegen ein Minimum an Aluminium ist, der hat eine Aluminiumminimumimmunitität.

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037
14.11.2016, 10:21 Uhr
Buebchen

@Mario Blunk!
Hallo Mario!
Hast Du diesen Bildern aus dem Thread 016:
http://buebchen.jimdo.com/diverse-bilder/
nicht geglaubt, das es ein MP20 ist?
Wolfgang

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038
15.11.2016, 09:31 Uhr
P.S.

@Mario Blunk, Buebchen <032> <037>
Nun haben wir von den MP20 reichlich Bilder vom Innenleben - doch wer hat noch OC880 ... 883 ? - wo man mal einen aufschneiden könnte, um das Innenleben zu betrachten und somit die MESA-Konstruktion zu bestätigen.

Leider habe ich keinen aus der Reihe OC880...883, dafür die ganze Palette OC823...829 ...
Falls es interessiert - ich könnte aber mal einen GT313 aufschneiden, dessen Technologie sehr wesentlich bei den MESA-Transistoren des HFO verwendet wurde.

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PS

Dieser Beitrag wurde am 15.11.2016 um 09:31 Uhr von P.S. editiert.

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039
16.11.2016, 12:18 Uhr
AE
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Da ich als Halbleiter-Laie mit dem Foto in [9] eine Diskussion der Fachleute provoziert habe, möchte ich jetzt auch zur Klärung beitragen:

Die im obigen Bild enthaltene Bezeichnung des Transistors ist falsch. Es handelt sich wahrscheinlich um einen Typ OC 82x (um vorsichtig zu sein). Die letzten zwei Stellen der Beschriftung sind nicht zweifelsfrei lesbar. Ich habe das Foto in [9] deshalb korrigiert.

Aus einer großen Grabbelkiste siebte ich einen Transistor mit deutlich lesbarer Aufschrift OC 881 H und HFO-Logo heraus und schlachtete ihn. Hier die Fotos

Ich hätte wie beim OC 82x nur den oberen Deckel entfernen sollen, so sind die Bonddrähte "verloren" gegangen.

Dieser Beitrag wurde am 16.11.2016 um 15:28 Uhr von AE editiert.

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040
16.11.2016, 13:44 Uhr
Buebchen

@AE
Hallo!
Danke das Du das klargestellt hast. Im Bild ist, trotzdem ein Bonddraht fehlt, der MESA Aufbau zu sehen. Der zweite Bonddraht war neben dem noch vorhandenen Bonddraht auf der Oberfläche des Kristalls in der Mitte des Substrathalters aufgebondet. Ebenfalls das der Kollector am Gehäuse liegt wie in den Korekten Datenblättern beschrieben. Es ist allerdings kein Pillen-MESA mehr, wie die ersten Westlichen Exemplare, sondern schon ein Fortschrittlicher Diffusions-MESA. So hatte ich es auch in der Erinnerung und habe deshalb angezweifelt, das der aufgeschnittene Transistor im Thread 009 ein OC881 ist.
Damit ist die Welt für mich wieder in Ordnung.
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 16.11.2016 um 14:00 Uhr von Buebchen editiert.

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041
16.11.2016, 13:48 Uhr
kaiOr

Dann weiß doch bestimmt einer von euch Hasen, warum GD244 beim Schütteln klappern.

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042
16.11.2016, 13:52 Uhr
Buebchen

@kaior
Hallo Kai!
Dort ist meines Wissens eine Wasserbindende Pille drin, die die Zerstörung der Kristalloberfläche verzögern sollte. Germanium oxidiert sehr schnell und die Oberfläche löst sich im immer vorhandenen Wasser auf. Was zur Zerstörung des Transistors führt.
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 16.11.2016 um 14:02 Uhr von Buebchen editiert.

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043
16.11.2016, 14:00 Uhr
CarstenSc

@Bübchen

Lieber Wolfgang, erkläre mir doch bitte mal, wo du da eine geätzte Mesastruktur erkennst. ich sehe nur ein Germaniumplätchen. Ein ganz gewöhnlicher Diff.-Legierungs-Typ.

Hier ein geöffneter echter MESA-Transistor GF145. Wenn auch unscharf, erkennt man deutlich die geätzte Mesastruktur.
Unterschied erkannt, Bübchen ?

Ich werde versuchen mit dem Stereomikroskop ein paar bessere Fotos zu machen.

Carsten

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044
16.11.2016, 14:06 Uhr
CarstenSc

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045
16.11.2016, 14:10 Uhr
Buebchen

@CarstenSc
Hallo Carsten!
MESA bedeutet nicht das etwas geätzt sein muß! Es ist nur eine Bezeichnung für den Aufbau der an einen Tisch oder Tafelberg erinnert bei dem die Beine ( Emitter und Basis ) nach oben stehen ( Mesa Spanisch für Tisch). Wie ich schon mehrmals vorher geschrieben habe waren die ersten MESA Typen weder geätzt noch mit einem Diffusionsgefälle versehen. Es waren nur auf das Germaniumkristall zwei Indiumperlen aufgesetzt, die mit Bonddrähten versehen, den Basis und Emitteranschlus ergaben. Die Zonenfolge wurde durch Aufheizen der verschieden dotierten Indiumpillen erreicht. Die wurden dann mit den Bonddrähten kontaktiert und fertig war der Pillen MESA. Geätzte und direkt gebondete MESA Transistoren sind spätere Entwicklungen zu denen in der DDR auch die OC881 gehörten. Der dort liegende Substrathalter mit dem Kristall wurde dann ab dem GF120 stehend im Gehäuse montiert. Die GF145-GF147 sind Diffusionstransistoren mit Mesa Aufbau, Durch die Diffusion von Dotierungsstoffen durch eine Maske konnten kleiner Strukturen erzeugt werden, die für höhere Frequenzen (Hier UHF) nötig sind.
Mein Wissen zu den Transistortechnologien habe ich vor Ort im Institut (Gallium-Arsenid-Technikum des ZIE der ADW, dem jetzigen "Ferdinand Braun Institut") von den Wissenschaftlern erklärt bekommen, die vor 26 Jahre schon die Transistoren für Satelitenempfänger und GaAs Schaltkreise entwickelt und hergestellt haben. Das waren zwar auch FETs (HEMTS) aber die Technologie war sehr ähnlich nur die Masken waren anders und der Aufbau. Möglich geworden erst durch die MESA Struktur mit ihren verschiedenen Technologien.
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 16.11.2016 um 14:52 Uhr von Buebchen editiert.

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046
16.11.2016, 14:17 Uhr
CarstenSc

Ich gebe es auf.......

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047
16.11.2016, 14:49 Uhr
Enrico
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Ich sehe keine spanischen Tische.
Nur kleine Grundplatten und Winkel.

Ach ja, wenn, dann müssten das ja wohl eher russischen als spanische
Tische sein, wegen unsererer sowjetischen Freunde und Waffenbrüder.
???
--
MFG
Enrico

Dieser Beitrag wurde am 16.11.2016 um 14:50 Uhr von Enrico editiert.

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048
18.11.2016, 09:07 Uhr
P.S.

Eine von allen Seiten akzeptierte Terminologie ist die Grundlage jeder Diskussion!
Da hier offensichtlich jeder was anderes unter "MESA-Transistor" versteht, will ich mal den offiziellen Wortlaut aus dem "Taschenlexikon Halbleiterelektronik" von 1988 - VEB Bibliographisches Institut Leipzig zitieren:

"Mesatransistor: Bipolartransistor in MESA-Technologie, bei dem ein p-Halbleiter als Kollektor durch Diffusion eine als Basis wirkende n-Schicht erhält. Durch Legieren eines Aluminium-Streifens und eines p-Gebietes entsteht die Emitterzone; anschließend wird an 2 Seiten das Halbleitermaterial weggeätzt. (so dass ein Berg=MESA entsteht) ..."

"MESA-Technologie: Fertigungsverfahren für diskrete und integrierte Halbleiterbauelemente (Mesatransistor, Mesadiode). Ausgehend vom Planox-Verfahren (selektive Diffusion) wird jedoch in dieser Technik eine stärkere selektive seitliche Abätzung durchgeführt. Dadurch entsteht die MESA-Struktur mit oxidierten Seitenflächen. ..."

Letzte Klarheit sollte ein besseres Chip-Bild vom OC881...883 bringen. Leider sind im Bild <039> nicht mehr alle Bonddrähte zu sehen und die Bilder in <043>, <044> sind zu unscharf, um detaillierte Aussagen treffen zu können, wobei GF145 nicht mit OC881...883 vergleichbar ist.

Ich werde mal bei Gelegenheit einen GT313 aufschneiden, dessen Technologie seinerzeit bei der Entwicklung der HF-Transistoren bis in die Größenordnung 100MHz im HFO verwendet wurde. Dieser Technologie-Transfer war - auf Wunsch der Russen - sehr geheim , so dass es letztendlich mehr Probleme bereitete, als die "übliche" Beschaffung einer Embargo-Technologie aus dem NSW.
Nach (noch) nicht bestätigten Informationen sollen anfangs GT313-Chips im Zyklus-II verkappt worden sein.

Die Entwicklung der 100MHz-Transistoren (und darüber hinaus) war in den 1960er Jahren sehr dringend, da die HL-Industrie seinerzeit sehr in der Kritik stand, von wegen mangelder Versorgung mit weltmarktgerechten Bauelementen insbesondere für die Konsumgüterindustrie (Stichwort: "Henkelware").

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Dieser Beitrag wurde am 18.11.2016 um 09:08 Uhr von P.S. editiert.

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049
19.11.2016, 08:13 Uhr
Buebchen

Hallo!
Im Zusammenhang mit dem Terminierungs Modul von mir kam die Frage bei einem Erbauer auf, wie die Transistoren BD139 und BD140 beschaltet sind. Dabei stieß ich in den Datenblättern auf einen Wiederspruch. In den Datenblättern von Siemens und Phillips steht die Beschaltung so beschrieben, wie ich sie seid 40 Jahren kenne. Die Basis ist dort wo nicht das B der Beschriftung steht. In den Datenblättern von ST steht das genau dort die Basis ist. Ich habe in meinem Leben aber schon jede Menge BD139 von ST verbaut. Das stimmt nicht was dort in Ihrem Datenblatt steht.
Soviel dazu das man sich immer auf Datenblätter verlassen soll.
In dem Zusammenhang ist mir auch aufgefallen das auch die BD139 und kompatible wegen der besseren Wärmeabfuhr vom Kristall zum Substrat, einen Aufbau in MESA Struktur haben müssen. Sonst wäre der Kollektor nicht in der Mitte.
Wolfgang

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050
19.11.2016, 09:27 Uhr
Deff

Link zum ST-DB des BD139 => http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/25/1f/cf/0d/03/ad/4e/06/CD00001225.pdf/files/CD00001225.pdf/jcr:content/translations/en.CD00001225.pdf
Link zum Siemens DB des BD139 => http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/44436/SIEMENS/BD139.html
Link zum NXP-DB des BD139 => http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/16171/PHILIPS/BD139.html
Extrakt: Alle 3 DBs zeigen ein identisches Pinout E-C-B, wie übrigens auch der SD339 als hfo-BD139!
Eine Bewertung der 049-Aussage in Schulnotenform erspare ich mir mal!
Ach ja, die Bedruckung "BD139" ist bei meinen ST-Typen über die längere Gehäuseseite, also vertikal!

Ingo
--
Die Politik ist ein Versuch der Politiker, zusammen mit dem Volk mit den Problemen fertig zu werden, die das Volk ohne die Politiker niemals gehabt hätte. (Dieter Hildebrandt)

Dieser Beitrag wurde am 19.11.2016 um 09:36 Uhr von Deff editiert.

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051
19.11.2016, 17:26 Uhr
Buebchen

@Deff
Hallo!
Du vergißt, das der Transistor eine Vorderseite mit Bedruckung hat und eine Rückseite mit Metallfläche. Wenn die Metallfläche mit einem Kühlkörper Kontakt haben soll ist ein Unterschied zwischen dem Datenblatt von ST und von Siemens. Aber so etwas kann man schon mal leicht übersehen wenn man damit noch nicht gearbeitet hat.
Weiterhin viel Erfolg!
Wolfgang

Dieser Beitrag wurde am 19.11.2016 um 17:26 Uhr von Buebchen editiert.

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052
19.11.2016, 17:42 Uhr
robbi
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Eigentlich sollte man sich raushalten, aber ich sehe keinen Unterschied, dabei habe ich mir sogar extra die Brille aufgesetzt.

CarsteSc hat es auf den Punkt gebracht: "Ich gebe es auf......."

Da fällt mir ein:
1. Der Lehrer hat immer recht.
2. Wenn er nicht recht hat, tritt 1. in Kraft.
--
Schreib wie du quatschst, dann schreibst du schlecht.

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053
19.11.2016, 22:43 Uhr
Deff

@Buebchen
Nach diesem Hinweis, der wirklich gemäß meinen Vorschreibern der letzte sein wird, belasse ich es dabei Lernresistente weiterhin überzeugen zu wollen - ich möchte ungern zu einem Don Quichotte mutieren:
Techn. Zeichnungen sollte man auch korrekt zu interpretieren verstehen, denn weshalb ist wohl die angesprochene Metallfläche auf der Gehäuserückseite im vorliegenden Fall in Form einer Strichlinie dargestellt?
Wohl einzig deswegen, weil damit bekanntermaßen verdeckte Linien dargestellt werden!
Ergo, ist die gezeigte Seite die bedruckte Gehäuseseite!

Ingo
--
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054
20.11.2016, 05:43 Uhr
Buebchen

@Deff
Hallo!
Leider muß ich Dir wiedersprechen, wenn Das so mit dem Siemens Datenblatt wäre wie Du annimmst, wäre auch diese Zeichnung falsch, weil Spiegelbildlich. Die Anschlüsse werden aber richtig, wie sie bei der Ansicht auf die Metallfläche vorliegen dargestellt. Die Metallfäche ist im Gehäuse eingelassen. Die Größe ist nicht ganz genau bestimmbar. Deshalb meiner Meinung nach die gestrichelte Linie. Von anderen Herstellern als ST wird die Zeichnung auch von der Bedruckten Seite richtig dargestellt und nicht mit um 180 Grad verdrehter Ansicht. Frühere Datenblätter in Papierform die ich vor 40 Jahren in der Hand hielt wiesen diesen Fehler nicht auf. Diese habe ich aber wärend meiner vielen Umzüge entsorgt. Da ich aber sehr viele BDs in meinem Leben verarbeitet habe ist mir die falsche Zeichnung ins Auge gefallen. Das solls auch von mir sein. Es gibt eben Menschen in diesem Forum, die sind Intolerant umd nicht Lernfähig. Dazu zähle ich mich allerdings nicht.
Aber der eine sagt so der andere so, Watt solls.
Die gefundenen Fehler kannst Du behalten.
Wolfgang

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055
20.11.2016, 09:01 Uhr
millenniumpilot

Hallo Wolfgang,

kannst Du mal bitte solch ein falsches Datenblatt zeigen?
Die von Deff gezeigten sind nach aller (auch meiner) Meinung hier korrekt.
Gruß Dirk

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056
20.11.2016, 09:51 Uhr
P.S.

@Buebchen <049>
BD135 ... 140 sind Planar-Epitaxial-Transistoren (auch unsere Äquivalenttypen aus dem HFO, bzw. RWN) und haben nun wirklich nichts mit MESA-Transistoren zu tun - außer man betrachtet diese Technologie als entfernte Weiterentwicklung der MESA-Technologie.

Das Pin-Out aller dieser Typen ist identisch, sonst wäre das mit dem Austausch sehr problematisch. Beim SIEMENS-DBl gibt es den Hinweis, dass die eingelassene Kühlfläche mit dem Kollektor verbunden ist. Solches fehlt im ST-DBl - dort sehe ich auch in der Zeichnung keinerlei Andeutung, dass es eine solche Kühlfläche gibt. Bekannt ist jedoch, dass es später vollisolierte Leistungstransistoren gab (gibt), ob das jedoch auch auf die Serien BD135 ... zutrifft, ist mir nicht bekannt.

Wie die Bedruckung auf dem BE existiert, ist völlig unerheblich - daran das Pin-Out festmachen zu wollen ist sicherlich falsch!
Die Zeichnung für den SD335 ... im KME-Katalog "Aktive elektronische Bauelemente Teil2", S668 ist übrigens eindeutig!

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PS

Dieser Beitrag wurde am 20.11.2016 um 09:52 Uhr von P.S. editiert.

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057
20.11.2016, 12:51 Uhr
Enrico
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Zitat:

Buebchen schrieb
Es gibt eben Menschen in diesem Forum, die sind Intolerant umd nicht Lernfähig. Dazu zähle ich mich allerdings nicht.

Das ist der Fehler.

"Ohh, Herr lass es Hirn regnen, oder schmeiss mit Steinen, egal, Hauptsache Du triffst endlich mal!"
--
MFG
Enrico

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058
20.11.2016, 13:20 Uhr
Deff

@alle, ausser (Spitz-)Buebchen
Kann man mir mal anhand des DB-Auszug erklären, was hieran spiegelbildlich sein soll?

Ingo
--
Die Politik ist ein Versuch der Politiker, zusammen mit dem Volk mit den Problemen fertig zu werden, die das Volk ohne die Politiker niemals gehabt hätte. (Dieter Hildebrandt)

Dieser Beitrag wurde am 20.11.2016 um 13:23 Uhr von Deff editiert.

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059
20.11.2016, 14:28 Uhr
holm

Avatar von holm

Man kann auch einfach aufhören drüber nach zu denken. Die Anschlußbelegung ist Standard für TO126, abweichend davon nur die Russen...das weiß man und fertig. Im Zweifelsfalle prömpelt man so ein Ding auf den Transistortester.

Das Siemens Datenblatt ist schon etwas mißverständlich, man muß sich allerdings Mühe geben es miß zu verstehen..

Gruß,

Holm
--
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060
20.11.2016, 14:28 Uhr
Enrico
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Nichts ist spiegelverkehrt.
Wäre auch totaler Blödsinn. Gestrichelte Linie stellt die Unterseite da, war schon immer so bei
technischen Zeichnungen. Sowas hatte man schon in der Schule und Lehre.
Wollte das auch schon längst vorher geschrieben haben, war aber zu faul dazu.
Zweck hat das sowieso alles nicht, gegen so viel Einbildung kann man nix machen.
--
MFG
Enrico

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061
20.11.2016, 15:10 Uhr
Buebchen

Hallo!
Hiermit gebe ich zu wissen das ich mich nach einer Anfrage geirrt habe.
Wolfgang

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062
20.11.2016, 16:44 Uhr
Guido
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Zitat:

Buebchen schrieb
Hallo!
Hiermit gebe ich zu wissen das ich mich nach einer Anfrage geirrt habe.
Wolfgang

Womit an der Stelle hoffentlich das Ende dieses ulkigen Threads erreicht ist.

Guido
--
Der Mensch hat drei Wege, klug zu handeln.
Erstens durch Nachdenken: Das ist der edelste.
Zweitens durch Nachahmen: Das ist der leichteste.
Drittens durch Erfahrung: Das ist der bitterste.
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063
20.11.2016, 22:13 Uhr
srn

Zitat:

Guido schrieb
Womit an der Stelle hoffentlich das Ende dieses ulkigen Threads erreicht ist.
Guido

Ja, hier bestimmt schon. Aber es wird ein neuer Tag kommen, an dem "Gott W.H." von seiner Unfehlbarkeit überzeugt sein wird.

Sorry.
--
http://www.kc-und-atari.de/ --- M004

Dieser Beitrag wurde am 20.11.2016 um 22:13 Uhr von srn editiert.

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064
20.11.2016, 22:42 Uhr
Georg

... -.-
--
DL5GSM ex DO5GSM DOK:X01 LOC:jo51pm

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065
10.05.2017, 19:53 Uhr
AE
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Bei der Reparatur eines Taschenrechners bin ich auf den nachfolgend abgebildeten gestorbenen Transistor gestoßen:

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066
14.03.2018, 10:42 Uhr
Buebchen

@PS
Hallo!
Vieleicht interessiert Dich das ja.
Hier sind die Begriffe Mesa, Epitaxie und Drift eindeutig erklärt.
Aus dem RCA Transistormanual von 1964!

Dieser Beitrag wurde am 16.03.2021 um 17:00 Uhr von Rüdiger editiert.

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