Robotrontechnik-Forum

Registrieren || Einloggen || Hilfe/FAQ || Suche || Mitglieder || Home || Statistik || Kalender || Admins Willkommen Gast! RSS

Robotrontechnik-Forum » Sonstiges » UM61256FK-15 » Themenansicht

Autor Thread - Seiten: -1-
000
26.05.2015, 15:09 Uhr
PIC18F2550

Avatar von PIC18F2550

Hallo,
ich möchte den STAM etwas ausergewöhnlich beschreiben und möchte wissen ob das geht.

/CE = L
/OE = H
/WE = L

I/O = Datenmuster zum einlesen.
A0..A14 = Zähler

Hintergrund ist ein Loggen von daten die aus einem aneren IC ausgegeben werden.
Das Timing des anderen ICs ist nicht vorhersehbar so das eine genauere ansteuerungs Logik nicht in Frage kommt.
Der Takt der Adresszähler wird mittels Komparator bei jeden Datenwechsel hochgezählt.
Zwei gleiche Datenmuster kommen nie hintereinander raus.
Die Zeit zwischen den Datenwechsel liegt bei 17ns bis 130µs daher auch nur das hochzählen ohne /CE.

Als Zähler setze ich syncron Zähler auf GAL16V8-15 Basis ein.
--
42 ist die Antwort auf die "Frage nach dem Leben, dem Universum und dem ganzen Rest"
Aktuelle Projektdokumentationen
Seitenanfang Seitenende
Profil || Private Nachricht || Suche Zitatantwort || Editieren || Löschen
001
26.05.2015, 15:45 Uhr
Buebchen



Hallo!
Ich denke, wenn Du /CE, /OEund /WE ständig auf deinen angegebenen Zuständen hältst wird das nichts vernünftiges. /CE sollte einige nsec nach dem Zähltakt, wenn die Adresse echt ist auf Low gehen. Mit einem Gatter verzögern. Dazu brauchst Du dann aber einen Gal der sehr schnell ist (5nsec, evtl. 7,5nsec) und mit der Low-High Flanke getriggert wird. Die wirst Du kaum noch bekommen.
Ebenso brauchst Du einen sehr schnellen Komparator (F oder S Typ).
Eventuell funktioniert es wenn Du die Daten im RAM auf die eine Seite des Komparators gibst und /OE mit dem Takt auf High schaltest. Sobald neue Daten anligen kommt dein Triggersignal für den GAL-Zähler und uber das Gatter verzögert wird /CE auf Low gelegt, am besten ein kurzer /CE Impuls über eine Art Monoflop. Damit werden die Daten dann übernommen.
Nee, ganz so einfach wird es nicht, da ja /CE und /OE Low sein müssen damit Daten ausgegeben werden.
Doch garnicht so einfach.
Vieleicht reicht es ja wenn Du nur /OE ansteuerst nach dem letzten Vorschlag von mir. Damit hättest Du auch eine schnellere Zugriffszeit!

Dieser Beitrag wurde am 26.05.2015 um 16:02 Uhr von Buebchen editiert.
Seitenanfang Seitenende
Profil || Private Nachricht || Suche Zitatantwort || Editieren || Löschen
002
26.05.2015, 16:00 Uhr
PIC18F2550

Avatar von PIC18F2550

Ok wenn da unbedingt ein Impula an /CE anliegen muss währe unter umständen was mit dem 74S00 machbar.
Das kenne ich aber nur von dRAMS bei SRAMS wird einfach sie Set/Reset Leitung zur Speicherzelle gekappt

Meine Überlegungen gehen dahin das bei einem Adresswechsel nicht gleichzeitig die Daten wechseln.
Daraus resultiert meiner meinung nach das die Daten auf der alten Zelle nicht mehr verändert werden.
Desshalb der dauer L an /CE.

Mit einem impuls währen die 17ns nicht mehr machbar.
--
42 ist die Antwort auf die "Frage nach dem Leben, dem Universum und dem ganzen Rest"
Aktuelle Projektdokumentationen
Seitenanfang Seitenende
Profil || Private Nachricht || Suche Zitatantwort || Editieren || Löschen
003
26.05.2015, 16:06 Uhr
Buebchen



Hallo!
Wie ich Oben geschrieben habe könnte Dauer /CE Low gehen wenn Du /OE schaltest. Dann hast Du einen wesentlich schnelleren Zugrif von max 7nsec auf das RAM! Ansonsten musst Du versuchen einen 61256 mit 10 nsec Zugriffszeit zu bekommen, der hat eine /OE Zugriffszeit von 4nsec!
Vieleicht bekommst Du es damit hin.

Dieser Beitrag wurde am 26.05.2015 um 16:11 Uhr von Buebchen editiert.
Seitenanfang Seitenende
Profil || Private Nachricht || Suche Zitatantwort || Editieren || Löschen
004
26.05.2015, 16:38 Uhr
PIC18F2550

Avatar von PIC18F2550

Hallo Buebchen.

Das Ausgabe Timing ist wieder normal und da werkeln nur 50ns rum.

Ich habs mal durch gerechnet mit gattern ist da leider nichts mehr zu machen.
Alles zu knapp.


Eine Idee währe da der Gall bei L/H zälht den Takt auf /WE zu klemmen und somit ein Timing fenster von 8,5 nS zu erhalten.
Da könnte das mit einen 12ns Typ gerade noch klappen.
Oder einen IS61LV6416-10TL mit 10ns einsetzen.
--
42 ist die Antwort auf die "Frage nach dem Leben, dem Universum und dem ganzen Rest"
Aktuelle Projektdokumentationen
Seitenanfang Seitenende
Profil || Private Nachricht || Suche Zitatantwort || Editieren || Löschen
005
26.05.2015, 16:43 Uhr
PIC18F2550

Avatar von PIC18F2550

Das müsste ich mal Testen dazu sollte es ausreichen wenn die daten mit den eigenen Adressen gespeist werden um Fehler zu finden.
--
42 ist die Antwort auf die "Frage nach dem Leben, dem Universum und dem ganzen Rest"
Aktuelle Projektdokumentationen
Seitenanfang Seitenende
Profil || Private Nachricht || Suche Zitatantwort || Editieren || Löschen
006
27.05.2015, 22:51 Uhr
PIC18F2550

Avatar von PIC18F2550

/OE hat beim schreiben auf dem RAM keinen Einfluss da das /WE dominant ist.

Einen schnelleren GAL brauch ich auch nicht es kommt nur auf die laufzeitverzögerung der Mackrozellen an.
Die sollte fast gleich sein da die Logiktherme in allen Mackrozellen gleich ist.
Der geringe Unterschied reicht nicht aus um den SRAM zu beschreiben.(<3ns)

Der Test mit dem Adressen auf die Eingänge hat Fehlerfrei geklappt.
Zwar nur mit 500ns aber entscheident sind die Flanken und dort Funktioniert es.
--
42 ist die Antwort auf die "Frage nach dem Leben, dem Universum und dem ganzen Rest"
Aktuelle Projektdokumentationen
Seitenanfang Seitenende
Profil || Private Nachricht || Suche Zitatantwort || Editieren || Löschen
Seiten: -1-     [ Sonstiges ]  



Robotrontechnik-Forum

powered by ThWboard 3 Beta 2.84-php5
© by Paul Baecher & Felix Gonschorek