010
03.11.2014, 16:28 Uhr
holm
|
Ums nochmal zu erklären: Sowohl Eproms als auch moderne Flash ROMs sowie auch die Flash ROMs integriert in Mikrocontrollern leiden _immer_ an Amnesie. Es ist nur eine Frage der Zeit.
Die Information in diesen Roms wird auf isolierten leitfähigen Strukturen gehalten die von Glas umschlossen sind. Diese leitfähigen Strukturen bilden ein Gate eines FETs. Dieser FET hat noch ein 2. Gate zur Auswahl und abhängig von der Ladung auf dem Isolierten Gate leitet der Transistor wenn er angesteuert wird ..oder nicht... das ist genau die 0/1 Information in der Zelle. (1).
Die Ladung wird auf das isolierte Gate durch den Flash-Prozess "geschossen" und es ist eine Frage der Isolation wie lange sie dort verbleibt. Moderne Chips auch Eproms garantieren eine Datenhaltezeit von 100 Jahren, vor 20 Jahren waren das aber noch 10 Jahre so das es nicht unwahrscheinlich ist das die Ladung wegen Isolationsfehlern bereits verschwunden ist... der Chip hat vergessen, es ist dann meistens zu spät.(2) Kaputt ist er deswegen nicht, nach neu programmieren funktioniert der wieder genau so lange.
Normalerweise ist diese Art der Datenspeicherung eine Krankheit, aber sie funktioniert halt halbwegs.
(1) Zum Zwecke der Kapazitätserhöhung ist man bei modernen Speichern dazu über gegangen die Anzahl der möglichen Bits in einer Zelle zu vervielfachen. Das wird dadurch erreicht, das die Schwellspannung des ersten Gates abhängig von der Ladung auf dem isolierten Gate in unterschiedlicher Höhe liegt. Man bekommt damit wirklich mehrere Bits in eine Zelle, mit 4 Ladungspegeln (0%, 33%, 66%, 100%) erhält man vier unterschiedliche Schwellspannungen was der Informationsmenge von 2 Bit entspricht. Die Datensicherheit freilich sinkt proportional weil Pegelabstände halt geringer sind.
(2) Durch ein paar Kunstriffe kann man die richtigen Daten meist noch auslesen, z.B. in dem man die Versorgungsspannung beim Auslesen absenkt. Die Schwellspannung des Transistors steigt dabei im Verhältnis zu den Pegeln und die Bits kippen wieder von 1 auf 0. Eine Gewähr gibts freilich dafür nicht.
Es gibt auch andere Technologien für ROMs z.B. maskenprogrammierte Matritzen, d.h. während der Produktion wird durch eine Bedampfungsmaske das Bitmuster ein für alle mal festgelegt und das ist nicht änderbar. Dann gibt es noch Proms bei denen dünne Leiterzüge im Chip während der Programmierung durchgebrannt werden.
Es gibt allerdings Effekte in Halbleitern wie z.B. die Elektromigration die trotzdem dafür sorgt das sich die Information in solchen Speichern langfristig ändern kann. Auch druchgebrannte "Sicherungen" wachsen teilweise wieder zusammen.
Zu U505 Masken-ROMs aus DDR Zeiten habe ich kein sonderlich großes Vertrauen. In heutiger Zeit sind mir da speziell auf dem üblichen FDC schon mehr defekte ROMs als EPROMs über den Weg gelaufen.
Ähnliches gilt für die alten U501. U551 sind allerdings plastverkappte EPROMs, sogenannte OTP-ROMs,
die verhalten sich wie EPROMs mit Glasfenster nur das man sie nicht löschen kann (es sei denn man bestrahlt sie z.B. in einem Reaktor oder durch Röntgenstrahlung [alles zu DDR Zeiten gelaufen :-)]).
Da die Chips dann aber selbst radioaktiv werden ist auch damit zu rechnen das sie die Information auf Grund eines Ionisationstunnels im Glas spontan verlieren.
Gruß,
Holm
--
float R,y=1.5,x,r,A,P,B;int u,h=80,n=80,s;main(c,v)int c;char **v;
{s=(c>1?(h=atoi(v[1])):h)*h/2;for(R=6./h;s%h||(y-=R,x=-2),s;4<(P=B*B)+
(r=A*A)|++u==n&&putchar(*(((--s%h)?(u<n?--u%6:6):7)+"World! \n"))&&
(A=B=P=u=r=0,x+=R/2))A=B*2*A+y,B=P+x-r;}
Dieser Beitrag wurde am 03.11.2014 um 16:31 Uhr von holm editiert. |
